英飞凌代理商
渠道,英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
首页
INFINEON英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
FF8MR12W2M1B11BOMA1
|
FF8MR12W2M1B11BOMA1价格
|
FF8MR12W2M1B11BOMA1技术资料
|
FF8MR12W2M1B11BOMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
原厂封装:
模块
优势价格,FF8MR12W2M1B11BOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FF8MR12W2M1B11BOMA1的技术资料下载
FF8MR12W2M1B11BOMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:FF8MR12W2M1B11BOMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:CoolSiC?+
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C时电流-连续漏极(Id):150A(Tj)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 150A,15V(标准)
不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 60mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):372nC @ 15V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):11000pF @ 800V
功率-最大值:20mW(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:模块
想获取FF8MR12W2M1B11BOMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
FF8MR12W2M1PB11BPSA1
晶
BCX42E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
BC 858B E6433
单路晶体管(BJT)
TLE4935L
霍尔效应磁性传感器IC
BCR196WH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
英飞凌芯片代理
的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司(INFINEON)授权的国内
英飞凌代理商
一手货源,大小批量出货
www.inflyic.com