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FF900R12IE4VPBOSA1
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FF900R12IE4VPBOSA1技术资料
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FF900R12IE4VPBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IGBT MOD 1200V 900A 20MW
原厂封装:
模块
优势价格,FF900R12IE4VPBOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FF900R12IE4VPBOSA1的技术资料下载
FF900R12IE4VPBOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:FF900R12IE4VPBOSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
配置:半桥
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):900A
功率-最大值:20mW
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,900A
电流-集电极截止(最大值):5mA
不同?Vce时输入电容(Cies):54nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装:模块
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