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FS100R07N2E4B11BOSA1
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FS100R07N2E4B11BOSA1技术资料
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FS100R07N2E4B11BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
IGBT MOD 650V 125A 20MW
原厂封装：
模块
优势价格，FS100R07N2E4B11BOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FS100R07N2E4B11BOSA1的技术资料下载
FS100R07N2E4B11BOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：FS100R07N2E4B11BOSA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：IGBT MOD 650V 125A 20MW
系列：晶体管 - IGBT - 模块
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
配置：三相反相器
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：125A
功率-最大值：20mW
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，100A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同?Vce时输入电容(Cies)：6.2nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C
安装类型：底座安装
封装：模块
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