英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
  • 首页
  • INFINEON英飞凌
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | FS100R07PE4BOSA1 | FS100R07PE4BOSA1价格 | FS100R07PE4BOSA1技术资料 |
    FS100R07PE4BOSA1的图片

    FS100R07PE4BOSA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - IGBT - 模块
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：IGBT MOD 650V 100A 335W
    原厂封装：模块
    优势价格，FS100R07PE4BOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FS100R07PE4BOSA1的技术资料下载
    电话询问价格
    FS100R07PE4BOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：FS100R07PE4BOSA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT MOD 650V 100A 335W
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：三相反相器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
  • 功率-最大值：335W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，100A
  • 电流-集电极截止（最大值）：1mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：6.2nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：模块
  • 想获取FS100R07PE4BOSA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
  • FS100R07N2E4B11BOSA1
    晶
    FS100R07N2E4B11BOSA1
  • FS100R17N3E4BOSA1
    晶
    FS100R17N3E4BOSA1
  • PEF 3452 H V1.3
    接口 - 电信
    PEF 3452 H V1.3
  • IRLR3105TRPBF
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    IRLR3105TRPBF
  • FF600R12IP4VBOSA1
    晶体管 - IGBT - 模块
    FF600R12IP4VBOSA1
  • BGA8H1BN6E6327XTSA1
    射频放大器
    BGA8H1BN6E6327XTSA1
    • 英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
    www.inflyic.com