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IGD15N65T6ARMA1
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IGD15N65T6ARMA1技术资料
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IGD15N65T6ARMA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IGD15N65T6ARMA1
原厂封装:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,IGD15N65T6ARMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IGD15N65T6ARMA1的技术资料下载
IGD15N65T6ARMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IGD15N65T6ARMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IGD15N65T6ARMA1
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:TrenchStop
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):30A
电流-集电极脉冲(Icm):57.5A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,11.5A
功率-最大值:100W
开关能量:230J(开),110J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:37nC
25°C时Td(开/关)值:30ns/117ns
测试条件:400V,11.5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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