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IGOT60R070D1AUMA1
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IGOT60R070D1AUMA1技术资料
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IGOT60R070D1AUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
原厂封装:
PG-DSO-20-87
优势价格,IGOT60R070D1AUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IGOT60R070D1AUMA1的技术资料下载
IGOT60R070D1AUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IGOT60R070D1AUMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:CoolGaN
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):31A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):1,6V @ 2,6mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):380pF @ 400V
FET功能:-
功率耗散(最大值):125W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PG-DSO-20-87
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