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IHD10N60RA
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IHD10N60RA技术资料
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IHD10N60RA
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
原厂封装：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，IHD10N60RA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IHD10N60RA的技术资料下载
IHD10N60RA的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IHD10N60RA
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：IGBT 600V 20A 110W TO252-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：TrenchStop?
零件状态：停产
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
电流-集电极脉冲(Icm)：30A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，10A
功率-最大值：110W
开关能量：270μJ
输入类型：标准
栅极电荷：62nC
25°C时Td（开/关）值：-/170ns
测试条件：400V，10A，23 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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