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IKD04N60RF的图片

IKD04N60RF

Infineon图标
单路IGBT
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3
原厂封装:PG-TO252-3
优势价格,IKD04N60RF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IKD04N60RF的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IKD04N60RF
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3
  • 系列:TrenchStop
  • IGBT 类型:沟道
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):12A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,4A
  • 功率 - 最大值:75W
  • Switching Energy:110μJ
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:27nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/116ns
  • Test Condition:400V, 4A, 43 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):34ns
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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  • IKD04N60R
  • 单端场效应管
    IPA032N06N3 G
  • 单端场效应管
    IPD80R1K4CEBTMA1
  • RF场效应管
    PTF180101S V1
  • 单端场效应管
    BSC500N20NS3GATMA1
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