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    IKD08N65ET6ARMA1的图片

    IKD08N65ET6ARMA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：IKD08N65ET6ARMA1
    原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
    优势价格，IKD08N65ET6ARMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IKD08N65ET6ARMA1的技术资料下载
    电话询问价格
    IKD08N65ET6ARMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IKD08N65ET6ARMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IKD08N65ET6ARMA1
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：TrenchStop?
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：15A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：25A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，5A
  • 功率-最大值：47W
  • 开关能量：110μJ（开），40μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：17nC
  • 25°C时Td（开/关）值：20ns/59ns
  • 测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：43ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 想获取IKD08N65ET6ARMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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