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IKW30N65ET7XKSA1
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IKW30N65ET7XKSA1价格
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IKW30N65ET7XKSA1技术资料
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IKW30N65ET7XKSA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IKW30N65ET7XKSA1
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,IKW30N65ET7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IKW30N65ET7XKSA1的技术资料下载
IKW30N65ET7XKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IKW30N65ET7XKSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IKW30N65ET7XKSA1
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchStop
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):30A
电流-集电极脉冲(Icm):90A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,30A
功率-最大值:188W
开关能量:590J(开),500J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:180nC
25°C时Td(开/关)值:20ns/245ns
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):80ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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