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IMBF170R1K0M1XTMA1
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IMBF170R1K0M1XTMA1价格
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IMBF170R1K0M1XTMA1技术资料
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IMBF170R1K0M1XTMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
原厂封装：
PG-TO263-7
优势价格，IMBF170R1K0M1XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMBF170R1K0M1XTMA1的技术资料下载
IMBF170R1K0M1XTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IMBF170R1K0M1XTMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolSiC?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700V
25°C时电流-连续漏极(Id)：5.2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V，15V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1000毫欧 @ 1A，15V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 12V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：275pF @ 1000V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：-
器件封装：PG-TO263-7
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