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IMBG120R140M1HXTMA1
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IMBG120R140M1HXTMA1价格
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IMBG120R140M1HXTMA1技术资料
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IMBG120R140M1HXTMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263
原厂封装：
PG-TO263-7-12
优势价格，IMBG120R140M1HXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMBG120R140M1HXTMA1的技术资料下载
IMBG120R140M1HXTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IMBG120R140M1HXTMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolSiC?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：1.2kV
25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：189 毫欧 @ 6A，18V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.4nC @ 18V
Vgs（最大值）：+18V，-15V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：491pF @ 800V
FET功能：标准
功率耗散（最大值）：107W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-TO263-7-12
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