英飞凌代理商
渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
首页
INFINEON英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
IMBG120R350M1HXTMA1
|
IMBG120R350M1HXTMA1价格
|
IMBG120R350M1HXTMA1技术资料
|
IMBG120R350M1HXTMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
原厂封装：
PG-TO263-7-12
优势价格，IMBG120R350M1HXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMBG120R350M1HXTMA1的技术资料下载
IMBG120R350M1HXTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IMBG120R350M1HXTMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolSiC?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：1.2kV
25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：468 毫欧 @ 2A，18V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.9nC @ 18V
Vgs（最大值）：+18V，-15V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：196pF @ 800V
FET功能：标准
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-TO263-7-12
想获取IMBG120R350M1HXTMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
IMBG120R045M1HXTMA1
晶
IMBG120R060M1HXTMA1
晶
TDA7116FHTMA1
射频发射器
IR2103S
电源管理IC - 栅极驱动器
TLE82453SAAUMA1
电源管理IC - 配电开关，负载驱动器
CHL8102-00CRT
电源管理IC - 稳压器 - 特殊用途
英飞凌芯片代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内
英飞凌代理商
一手货源，大小批量出货
www.inflyic.com
