英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
  • 首页
  • INFINEON英飞凌
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | IMW120R060M1HXKSA1 | IMW120R060M1HXKSA1价格 | IMW120R060M1HXKSA1技术资料 |
    IMW120R060M1HXKSA1的图片

    IMW120R060M1HXKSA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
    原厂封装：PG-TO247-3-41
    优势价格，IMW120R060M1HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IMW120R060M1HXKSA1的技术资料下载
    电话询问价格
    IMW120R060M1HXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IMW120R060M1HXKSA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolSiC?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1.2kV
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：78 毫欧 @ 13A，18V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+23V，-7V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1.06nF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：PG-TO247-3-41
  • 想获取IMW120R060M1HXKSA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
  • IMW120R350M1HXKSA1
    晶
    IMW120R350M1HXKSA1
  • IMW120R045M1XKSA1
    晶
    IMW120R045M1XKSA1
  • BF 776 E6327
    RF晶体管
    BF 776 E6327
  • TD285N16KOFHPSA2
    晶闸管 - SCR - 模块
    TD285N16KOFHPSA2
  • BTS5236-2GS
    配电开关，负载驱动器芯片
    BTS5236-2GS
  • BAS4002S02LRHE6327XTSA1
    二极管 - 整流器 - 单
    BAS4002S02LRHE6327XTSA1
    • 英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
    www.inflyic.com