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IMW65R027M1HXKSA1的图片

IMW65R027M1HXKSA1

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

原厂封装：-

优势价格，IMW65R027M1HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

IMW65R027M1HXKSA1的技术资料下载

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IMW65R027M1HXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

制造商产品型号：IMW65R027M1HXKSA1

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：47A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

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