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IMZ120R030M1HXKSA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
原厂封装：PG-TO247-4-1
优势价格，IMZ120R030M1HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IMZ120R030M1HXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IMZ120R030M1HXKSA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolSiC
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1.2kV
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：56A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 25A，18V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 10mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：63nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+23V，-7V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2.12nF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：227W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：PG-TO247-4-1
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