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IMZ120R030M1HXKSA1
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IMZ120R030M1HXKSA1价格
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IMZ120R030M1HXKSA1技术资料
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IMZ120R030M1HXKSA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
原厂封装：
PG-TO247-4-1
优势价格，IMZ120R030M1HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMZ120R030M1HXKSA1的技术资料下载
IMZ120R030M1HXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IMZ120R030M1HXKSA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolSiC?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1.2kV
25°C时电流-连续漏极(Id)：56A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 25A，18V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 10mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：63nC @ 18V
Vgs（最大值）：+23V，-7V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2.12nF @ 800V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：227W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：PG-TO247-4-1
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