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IMZ120R045M1XKSA1
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IMZ120R045M1XKSA1价格
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IMZ120R045M1XKSA1技术资料
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IMZ120R045M1XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
原厂封装:
PG-TO247-4-1
优势价格,IMZ120R045M1XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMZ120R045M1XKSA1的技术资料下载
IMZ120R045M1XKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IMZ120R045M1XKSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:CoolSiC
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C时电流-连续漏极(Id):52A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):59 毫欧 @ 20A,15V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5.7V @ 10mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):52nC @ 15V
Vgs(最大值):+20V,-10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 800V
FET功能:电流检测
功率耗散(最大值):228W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:PG-TO247-4-1
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