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IPA65R660CFD

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220
原厂封装:PG-TO220
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IPA65R660CFD的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPA65R660CFD
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):660 毫欧 @ 2.1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):615pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:27.8W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:PG-TO220 整包
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