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IPAN65R650CEXKSA1的图片

IPAN65R650CEXKSA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
原厂封装：PG-TO220 整包
优势价格，IPAN65R650CEXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPAN65R650CEXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPAN65R650CEXKSA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolMOS
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.1A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 2.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 210A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：440pF @ 100V
  • FET功能：超级结
  • 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：PG-TO220 整包
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