IPAW60R600P7SE8228XKSA1

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 6A TO220

原厂封装：PG-TO220 整包

优势价格，IPAW60R600P7SE8228XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

IPAW60R600P7SE8228XKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

制造商产品型号：IPAW60R600P7SE8228XKSA1

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 600V 6A TO220

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：CoolMOS? P7

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 1.7A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 80μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：363pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：21W（Tc）

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：PG-TO220 整包

想获取IPAW60R600P7SE8228XKSA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料

晶

晶

电源管理IC - 栅极驱动器

电源管理IC - 栅极驱动器

线性稳压器芯片

单端场效应管