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IPB010N06N
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IPB010N06N
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
原厂封装:
PG-TO263-7
优势价格,IPB010N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB010N06N的技术资料下载
IPB010N06N的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB010N06N
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):45A(Ta),180A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 280μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):208nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15000pF @ 30V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装:PG-TO263-7
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