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    IPB024N08N5ATMA1的图片

    IPB024N08N5ATMA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    原厂封装：D2PAK（TO-263AB）
    优势价格，IPB024N08N5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IPB024N08N5ATMA1的技术资料下载
    电话询问价格
    IPB024N08N5ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPB024N08N5ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 154μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：123nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8970pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：214W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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