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IPB029N06N3 G E8187
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IPB029N06N3 G E8187技术资料
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IPB029N06N3 G E8187
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
原厂封装：
PG-TO263-3
优势价格，IPB029N06N3 G E8187的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB029N06N3 G E8187的技术资料下载
IPB029N06N3 G E8187的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：IPB029N06N3 G E8187
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 118μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：165nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13000pF @ 30V
功率 - 最大值：188W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3
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