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    IPB039N10N3 G的图片

    IPB039N10N3 G

    英飞凌(INFINEON)图标
    单端场效应管
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
    原厂封装：PG-TO263-7
    优势价格，IPB039N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IPB039N10N3 G的技术资料下载
    电话询问价格
    IPB039N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB039N10N3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：160A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.9 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 160μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：117nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8410pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：214W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-7
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