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IPB083N10N3 G的图片

IPB083N10N3 G

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

原厂封装：PG-TO263-2

优势价格，IPB083N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPB083N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

Infineon英飞凌公司完整型号：IPB083N10N3 G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 73A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 75μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3980pF @ 50V

功率 - 最大值：125W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263-2

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