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IPB096N03LGATMA1
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IPB096N03LGATMA1技术资料
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IPB096N03LGATMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
原厂封装：
D2PAK（TO-263AB）
优势价格，IPB096N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB096N03LGATMA1的技术资料下载
IPB096N03LGATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IPB096N03LGATMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：OptiMOS?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.6 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 15V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：42W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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