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IPB60R199CPAATMA1的图片

IPB60R199CPAATMA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
原厂封装：DPAK（TO-263AB）
优势价格，IPB60R199CPAATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPB60R199CPAATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPB60R199CPAATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, CoolMOS
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：199 毫欧 @ 9.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1520pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：139W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK（TO-263AB）
  • 想获取IPB60R199CPAATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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