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IPB80N06S2L09ATMA2
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IPB80N06S2L09ATMA2价格
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IPB80N06S2L09ATMA2技术资料
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IPB80N06S2L09ATMA2
FET - 单
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
原厂封装:
TO-263-3,D2Pak
优势价格,IPB80N06S2L09ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB80N06S2L09ATMA2的技术资料下载
IPB80N06S2L09ATMA2的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPB80N06S2L09ATMA2
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列: OptiMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8.2 毫欧 @ 52A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 125μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2620pF @ 25V
功率 - 最大值: 190W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
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IPB80N06S2L-06
单
IPB80N04S204ATMA2
F
BAT 15-05W E6327
RF二极管
BFR 360L3 E6765
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SAF-XE164FM-24F80L AA
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BAT 17-05 E6327
RF二极管
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