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IPB80N06S4L07ATMA2
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IPB80N06S4L07ATMA2价格
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IPB80N06S4L07ATMA2技术资料
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IPB80N06S4L07ATMA2
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
原厂封装：
PG-TO263-3-2
优势价格，IPB80N06S4L07ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB80N06S4L07ATMA2的技术资料下载
IPB80N06S4L07ATMA2的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IPB80N06S4L07ATMA2
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.7 毫欧 @ 80A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 40μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：75nC @ 10V
Vgs（最大值）：±16V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5680pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：79W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-TO263-3-2
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IPB80N04S3-H4
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IPB80N04S403JEATMA1
晶
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单端场效应管
F423MR12W1M1B11BOMA1
晶体管 - IGBT - 模块
FF600R12ME4PB72BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
BCR 199L3 E6327
晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
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