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IPD079N06L3GBTMA1的图片

IPD079N06L3GBTMA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
原厂封装：PG-TO252-3
优势价格，IPD079N06L3GBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD079N06L3GBTMA1的技术资料下载
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IPD079N06L3GBTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPD079N06L3GBTMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.9 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 34A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：29nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4900pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：79W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3
  • 想获取IPD079N06L3GBTMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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