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IPD110N12N3GATMA1的图片

IPD110N12N3GATMA1

Infineon图标
FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
原厂封装:TO-252-3,DPak
优势价格,IPD110N12N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPD110N12N3GATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: IPD110N12N3GATMA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  • 系列: OptiMOS?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 120V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 75A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 11 毫欧 @ 75A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 83μA(标准)
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 65nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4310pF @ 60V
  • 功率 - 最大值: 136W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装: PG-TO252-3
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  • 单端场效应管
    BSO4822T
  • 单端场效应管
    BSC057N03MS G
  • RF 晶体管(BJT)
    BFP760H6327XTSA1
  • 控制器
    ADM8513X-AD-T-1
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