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IPD122N10N3 G的图片

IPD122N10N3 G

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

原厂封装：PG-TO252-3

优势价格，IPD122N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPD122N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

Infineon英飞凌公司完整型号：IPD122N10N3 G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：59A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.2 毫欧 @ 46A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 50V

功率 - 最大值：94W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

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