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IPD230N06NGBTMA1的图片

IPD230N06NGBTMA1

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

原厂封装：PG-TO252-3

优势价格，IPD230N06NGBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPD230N06NGBTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

制造商产品型号：IPD230N06NGBTMA1

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：OptiMOS?

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 30A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 50μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PG-TO252-3

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