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IPD50N06S4L-12
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IPD50N06S4L-12价格
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IPD50N06S4L-12技术资料
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IPD50N06S4L-12
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
原厂封装：
PG-TO252-3-11
优势价格，IPD50N06S4L-12的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD50N06S4L-12的技术资料下载
IPD50N06S4L-12的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：IPD50N06S4L-12
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2890pF @ 25V
功率 - 最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3-11
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