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IPD50R650CE
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IPD50R650CE技术资料
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IPD50R650CE
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
原厂封装：
PG-TO252-3
优势价格，IPD50R650CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD50R650CE的技术资料下载
IPD50R650CE的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：IPD50R650CE
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
系列：CoolMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.1A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 1.8A, 13V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：342pF @ 100V
功率 - 最大值：47W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3
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