英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
| IPD60R3K4CEAUMA1 | IPD60R3K4CEAUMA1价格 | IPD60R3K4CEAUMA1技术资料 |
IPD60R3K4CEAUMA1的图片

IPD60R3K4CEAUMA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
原厂封装：PG-TO252-3
优势价格，IPD60R3K4CEAUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD60R3K4CEAUMA1的技术资料下载
电话询问价格
IPD60R3K4CEAUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.6nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：93pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：29W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3
  • 想获取IPD60R3K4CEAUMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
www.inflyic.com