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IPD60R800CEATMA1的图片

IPD60R800CEATMA1

Infineon图标
FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 600V TO-252-3
原厂封装:TO-252-3,DPak
优势价格,IPD60R800CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPD60R800CEATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: IPD60R800CEATMA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  • 系列: CoolMOS CE
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5.6A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 800 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 170μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 17.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 373pF @ 100V
  • 功率 - 最大值: 48W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装: TO-252-3
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  • F
    IPD60R1K5CEATMA1
  • IPD60R600E6
  • 微控制器
    SAF-C165UTAH-LF V1.3
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 135 E6327
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 112F E6327
  • 单端场效应管
    BSS126 E6906
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