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IPD65R1K4CFDBTMA1的图片

IPD65R1K4CFDBTMA1

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
原厂封装:PG-TO252
优势价格,IPD65R1K4CFDBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPD65R1K4CFDBTMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPD65R1K4CFDBTMA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.8A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 1A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):262pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:28.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252
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