英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
  • 首页
  • INFINEON英飞凌
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | IPD80P03P4L07ATMA2 | IPD80P03P4L07ATMA2价格 | IPD80P03P4L07ATMA2技术资料 |
    IPD80P03P4L07ATMA2的图片

    IPD80P03P4L07ATMA2

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
    原厂封装：PG-TO252-3-11
    优势价格，IPD80P03P4L07ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IPD80P03P4L07ATMA2的技术资料下载
    电话询问价格
    IPD80P03P4L07ATMA2的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPD80P03P4L07ATMA2
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-P2
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 130μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+5V，-16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5700pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：88W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3-11
  • 想获取IPD80P03P4L07ATMA2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
  • IPD80N04S3-06
    单
    IPD80N04S3-06
  • IPD80R1K4P7ATMA1
    晶
    IPD80R1K4P7ATMA1
  • IPL60R185C7AUMA1
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    IPL60R185C7AUMA1
  • IR2130J
    电源管理IC - 栅极驱动器
    IR2130J
  • BGA612E6327
    RF放大器
    BGA612E6327
  • PTFA211801E V5 R250
    RF场效应管
    PTFA211801E V5 R250
    • 英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
    www.inflyic.com