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IPD80R2K8CEBTMA1
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IPD80R2K8CEBTMA1技术资料
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IPD80R2K8CEBTMA1
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
原厂封装：
TO-252-3
优势价格，IPD80R2K8CEBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD80R2K8CEBTMA1的技术资料下载
IPD80R2K8CEBTMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：IPD80R2K8CEBTMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
系列：CoolMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 欧姆 @ 1.1A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 120μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：290pF @ 100V
功率 - 最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-4， DPak（3 引线 + 接片）
供应商器件封装：TO-252-3
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