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    IPD85P04P4L06ATMA1的图片

    IPD85P04P4L06ATMA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    原厂封装：PG-TO252-3-313
    优势价格，IPD85P04P4L06ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    IPD85P04P4L06ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPD85P04P4L06ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件状态：不適用於新設計
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.4 毫欧 @ 85A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 150μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：104nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6580pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：88W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3-313
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