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INFINEON
IPD90R1K2C3的图片

IPD90R1K2C3

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
原厂封装:PG-TO252-3
优势价格,IPD90R1K2C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPD90R1K2C3的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPD90R1K2C3
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):900V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.1A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 310μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):710pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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