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IPG20N04S408ATMA1的图片

IPG20N04S408ATMA1

Infineon图标
FET - 阵列
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
原厂封装:8-PowerVDFN
优势价格,IPG20N04S408ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPG20N04S408ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: IPG20N04S408ATMA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
  • 系列: OptiMOS?
  • FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 7.6 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 30μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 36nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2940pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 65W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装: PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
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