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IPG20N06S2L35ATMA1
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IPG20N06S2L35ATMA1价格
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IPG20N06S2L35ATMA1技术资料
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IPG20N06S2L35ATMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
原厂封装：
8-PowerVDFN
优势价格，IPG20N06S2L35ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPG20N06S2L35ATMA1的技术资料下载
IPG20N06S2L35ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IPG20N06S2L35ATMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：55V
25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 27μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 25V
功率-最大值：65W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerVDFN
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