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IPG20N06S3L-23的图片

IPG20N06S3L-23

Infineon图标
场效应管阵列
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
原厂封装:PG-TDSON-8-4
优势价格,IPG20N06S3L-23的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPG20N06S3L-23的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPG20N06S3L-23
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2950pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:45W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
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