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IPG20N06S4L26ATMA1的图片

IPG20N06S4L26ATMA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
原厂封装：8-PowerVDFN
优势价格，IPG20N06S4L26ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPG20N06S4L26ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPG20N06S4L26ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：OptiMOS
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 10A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1430pF @ 25V
  • 功率-最大值：33W
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerVDFN
  • 想获取IPG20N06S4L26ATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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