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IPG20N06S4L26ATMA1的图片

IPG20N06S4L26ATMA1

FET - 阵列

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

原厂封装：8-PowerVDFN

优势价格，IPG20N06S4L26ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPG20N06S4L26ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号: IPG20N06S4L26ATMA1

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 26 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1430pF @ 25V

功率 - 最大值: 33W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）

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场

IPG20N06S2L-65

场

IPG20N06S2L-35

单端场效应管

BSP295E6327

单路IGBT

IKB20N60T

RF二极管

BA 892 H6433

单端场效应管

IPD90P03P4-04

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