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IPI030N10N3 G的图片

IPI030N10N3 G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
原厂封装:PG-TO262-3
优势价格,IPI030N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPI030N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPI030N10N3 G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 275μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):206nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:PG-TO262-3
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  • FET - 单
    IPP60R125P6XKSA1
  • 微控制器
    SAK-XC888LM-8FFA 5V AC
  • 阵列﹐预偏压式晶体管
    BCR 141S E6327
  • 单端场效应管
    SPB42N03S2L-13
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