英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
  • 首页
  • INFINEON英飞凌
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | IPI110N20N3 G | IPI110N20N3 G价格 | IPI110N20N3 G技术资料 |
    IPI110N20N3 G的图片

    IPI110N20N3 G

    英飞凌(INFINEON)图标
    单端场效应管
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
    原厂封装：PG-TO262-3
    优势价格，IPI110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IPI110N20N3 G的技术资料下载
    电话询问价格
    IPI110N20N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPI110N20N3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：88A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 88A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：87nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7100pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
  • 供应商器件封装：PG-TO262-3
  • 想获取IPI110N20N3 G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
  • IPI11N03LA
    晶
    IPI11N03LA
  • IPI111N15N3GAKSA1
    晶
    IPI111N15N3GAKSA1
  • BG5120KH6327XTSA1
    晶体管 - FET，MOSFET - 射频
    BG5120KH6327XTSA1
  • SPD15P10PLGBTMA1
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    SPD15P10PLGBTMA1
  • BFP 405 H6327
    RF晶体管
    BFP 405 H6327
  • IRLR7807ZTRLPBF
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    IRLR7807ZTRLPBF
    • 英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
    www.inflyic.com