Infineon|英飞凌代理商|英飞凌官网-Infineon授权英飞凌一级代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
IPI126N10N3 G的图片

IPI126N10N3 G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
原厂封装:PG-TO262-3
优势价格,IPI126N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
IPI126N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPI126N10N3 G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):58A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12.6 毫欧 @ 46A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 46μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:94W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:PG-TO262-3
  • 想获取IPI126N10N3 G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
  • 了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
  • IPI120N06S4-H1
  • IPI120N06S4-02
  • 单路晶体管(BJT)
    BSP 61 H6327
  • 单端场效应管
    IPB65R225C7ATMA1
  • 可变电容二极管
    BBY 55-02V H6327
  • 单端场效应管
    IPD65R380C6
  • 英飞凌代理的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格

    国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的英飞凌一级代理商,一手货源,大小批量出货