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IPI50R399CPXKSA1
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IPI50R399CPXKSA1价格
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IPI50R399CPXKSA1技术资料
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IPI50R399CPXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
原厂封装:
PG-TO262-3
优势价格,IPI50R399CPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPI50R399CPXKSA1的技术资料下载
IPI50R399CPXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IPI50R399CPXKSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:CoolMOS?
零件状态:不適用於新設計
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):399 毫欧 @ 4.9A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 330μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 100V
FET功能:-
功率耗散(最大值):83W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:PG-TO262-3
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IPI50R199CPXKSA1
晶
IPI50N10S3L-16
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